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B3M010C075H

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W; TO247-3

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
B3M010C075H
TMEシンボル:
B3M010C075H

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
750V
ドレイン電流
169A
パルスドレイン電流
480A
電力損失
750W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
-5...18V
ON抵抗値
10mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
0.22µC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書

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B3M010C075H
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