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B3M025065H

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 88A; Idm: 197A; 500W; TO247-3

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
B3M025065H
TMEシンボル:
B3M025065H

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
88A
パルスドレイン電流
197A
電力損失
500W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
-5...18V
ON抵抗値
25mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
98nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書

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