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メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 650V | |
ドレイン電流 | 45A | |
パルスドレイン電流 | 106A | |
電力損失 | 230W | |
ケース | TOLL | |
ゲートーソース電圧 | -4...18V | |
ON抵抗値 | 40mΩ | |
マウント | SMD | |
ゲート電荷 | 60nC | |
梱包種類 | テーピング, リール | |
チャンネル種別 | 強化された |