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BGH75N120HF1

トランジスター: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
BGH75N120HF1
TMEシンボル:
BGH75N120HF1

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
IGBT
技術
Field Stop, SiC SBD, Trench
コレクターエミッター電圧
1.2kV
コレクター電流
75A
電力損失
568W
ケース
TO247-3
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
200A
マウント
THT
ゲート電荷
398nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
140ns
ターンオフ時間
443ns
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
総重量6.217 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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BGH75N120HF1
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個