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BGH75N65HF1

トランジスター: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
BGH75N65HF1
TMEシンボル:
BGH75N65HF1

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
IGBT
技術
Field Stop, SiC SBD, Trench
コレクターエミッター電圧
650V
コレクター電流
75A
電力損失
405W
ケース
TO247-3
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
300A
マウント
THT
ゲート電荷
444nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
104ns
ターンオフ時間
376ns
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
総重量5 g
証明書

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BGH75N65HF1
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