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FDB3632

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 100V; 80A; 310W; D2PAK

文書 EN
製品ファミリー

メーカー: ONSEMI

メーカー品番:
FDB3632
TMEシンボル:
FDB3632

仕様

メーカー
ONSEMI
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
PowerTrench®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
100V
ドレイン電流
80A
電力損失
310W
ケース
D2PAK
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
22mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
110nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量1.69 g
証明書
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FDB3632
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