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メーカー: ONSEMI
メーカー | ONSEMI | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET x2 | |
技術 | PowerTrench® | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 30/30V | |
ドレイン電流 | 30/40A | |
パルスドレイン電流 | 40...100A | |
電力損失 | 2.2/2.5W | |
ケース | PQFN8 | |
ゲートーソース電圧 | ±20/±20V | |
ON抵抗値 | 10.8/4mΩ | |
マウント | SMD | |
ゲート電荷 | 29/66nC | |
梱包種類 | テーピング, リール | |
チャンネル種別 | 強化された | |
半導体構造 | 非対称 |