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メーカー: ONSEMI
メーカー | ONSEMI | |
トランジスタータイプ | IGBT | |
コレクターエミッター電圧 | 650V | |
コレクター電流 | 60A | |
電力損失 | 153W | |
ケース | TO3PN | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 180A | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 84nC | |
梱包種類 | チューブ | |
半導体部品の機能 | integrated anti-parallel diode |