FZ2000R33HE4BOSA1
モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター,エミッタ接地; IGBT x3; Urmax: 3.3kV; Ic: 2kA
メーカー: INFINEON TECHNOLOGIES
メーカー品番:
FZ2000R33HE4BOSA1
TMEシンボル:
FZ2000R33HE4BOSA1
仕様
メーカー | INFINEON TECHNOLOGIES | |
半導体モジュールの種類 | IGBT | |
半導体構造 | エミッタ接地, トランジスター/トランジスター | |
トポロジー | IGBT x3 | |
最大開路電圧 | 3.3kV | |
コレクター電流 | 2kA | |
ケース | AG-IHVB190-3 | |
電気的実装 | スクリュー | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 4kA | |
技術 | TRENCHSTOP™ | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量1.2 kg
証明書
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* FZ2000R33HE4BOSA1個数 (倍数: 1)
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