FZ825R33HE4DBPSA1
モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター,エミッタ接地; IGBT x2; Urmax: 3.3kV; スクリュー
メーカー: INFINEON TECHNOLOGIES
メーカー品番:
FZ825R33HE4DBPSA1
TMEシンボル:
FZ825R33HE4DBPSA1
仕様
メーカー | INFINEON TECHNOLOGIES | |
半導体モジュールの種類 | IGBT | |
半導体構造 | エミッタ接地, トランジスター/トランジスター | |
トポロジー | IGBT x2 | |
最大開路電圧 | 3.3kV | |
コレクター電流 | 825A | |
ケース | AG-IHVB130 | |
電気的実装 | スクリュー | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 1.65kA | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量25 g
証明書
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