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GD1000HFX170P2S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBTハーフブリッジ; Urmax: 1700V; Ic: 1000A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD1000HFX170P2S
TMEシンボル:
GD1000HFX170P2S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBTハーフブリッジ
最大開路電圧
1.7kV
コレクター電流
1kA
ケース
P2.0
電気的実装
スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
2kA
技術
Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量1.21 kg
証明書
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GD1000HFX170P2S
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