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GD150HHU120C6S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; H-ブリッジ; Urmax: 1200V; Ic: 150A; ネジ

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD150HHU120C6S
TMEシンボル:
GD150HHU120C6S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
H-ブリッジ
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
150A
ケース
C6 62mm
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
300A
技術
NPT Ultra Fast IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量300 g
証明書
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GD150HHU120C6S
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