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GD200HFX170C2S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBTハーフブリッジ; Urmax: 1700V; Ic: 200A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD200HFX170C2S
TMEシンボル:
GD200HFX170C2S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBTハーフブリッジ
最大開路電圧
1.7kV
コレクター電流
200A
ケース
C2 62mm
電気的実装
スクリュー, ファストン端子
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
400A
技術
Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量300 g
証明書
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GD200HFX170C2S
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