+1 500 000 のオファーにある商品数

7000 個の小包が毎日発送されます

150 カ国からの +300 000 の顧客

Quick Buy お気に入り
カート

GD225HFX170C6S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBTハーフブリッジ; Urmax: 1700V; Ic: 225A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD225HFX170C6S
TMEシンボル:
GD225HFX170C6S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBTハーフブリッジ
最大開路電圧
1.7kV
コレクター電流
225A
ケース
C6 62mm
電気的実装
Press-in PCB, スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
450A
技術
Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量300 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: IGBTモジュール STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD225HFX170C6S
0 TMEに在庫あり
個数 (倍数: 10)
特注品