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GD300HTY120C7S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBT ハーフブリッジ x3,NTCサーミスター; Ic: 300A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD300HTY120C7S
TMEシンボル:
GD300HTY120C7S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBT ハーフブリッジ x3, NTCサーミスター
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
300A
ケース
C7
電気的実装
Press-in PCB, スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
600A
技術
Advanced Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量910 g
証明書
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GD300HTY120C7S
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