+1 500 000 のオファーにある商品数

7000 個の小包が毎日発送されます

150 カ国からの +300 000 の顧客

Quick Buy お気に入り
カート

GD30PJX65F1S

モジュール: IGBT; ダイオード/トランジスター; boost chopper,三相ダイオードブリッジ; Ic: 30A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD30PJX65F1S
TMEシンボル:
GD30PJX65F1S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
ダイオード/トランジスター
トポロジー
boost chopper, IGBT 三相ブリッジ OE出力, NTCサーミスター, 三相ダイオードブリッジ
最大開路電圧
650V
コレクター電流
30A
ケース
F1.1
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
60A
技術
Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量26 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: IGBTモジュール STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD30PJX65F1S
0 TMEに在庫あり
からの数量に対する正味価格 25 個 - 32.49 USDから数量のグロス価格 25 個 - 32.49 USD
個数 (倍数: 25)