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ISO5852SDW

IC: driver; IGBTハーフブリッジ,MOSFET ハーフブリッジ; high-/low-side,ゲートドライバー

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製品ファミリー

メーカー: TEXAS INSTRUMENTS

メーカー品番:
ISO5852SDW
TMEシンボル:
ISO5852SDW

仕様

メーカー
TEXAS INSTRUMENTS
集積回路タイプ
driver
トポロジー
IGBTハーフブリッジ, MOSFET ハーフブリッジ
集積回路種類
high-/low-side, ゲートドライバー
ケース
SO16-W
出力電流
-5...2.5A
チャンネル数
2
IC機能
ガルバニック絶縁
マウント
SMD
動作温度範囲
-40...125°C
インパルス立ち上がり時間
35ns
パルス立ち下がり時間
37ns
入力電圧
2.25...5.5V
梱包種類
チューブ
保護
低電圧 UVP
絶縁耐圧
5.7kV
供給電圧
  • 15...30V DC
総重量0.44 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: MOSFET/IGBTドライバ TEXAS INSTRUMENTS,
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ISO5852SDW
174 TMEに在庫あり
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からの数量に対する正味価格 40 個 - 5.03 USDから数量のグロス価格 40 個 - 5.03 USD
個数 (倍数: 1)
最小発注量: 1.
倍数: 1.
メーカーによる梱包方法チューブ = 40 個