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IXBN75N170

モジュール: IGBT; シングル トランジスター; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B; スクリュー

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXBN75N170
TMEシンボル:
IXBN75N170

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
シングル トランジスター
最大開路電圧
1.7kV
コレクター電流
75A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
680A
電力損失
625W
技術
BiMOSFET™
半導体部品の機能
高電圧
構造的搭載
ネジ
総重量37.09 g
証明書
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IXBN75N170
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