IXDN55N120D1
モジュール: IGBT; シングル トランジスター; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B; スクリュー
メーカー: IXYS
メーカー品番:
IXDN55N120D1
TMEシンボル:
IXDN55N120D1
仕様
メーカー | IXYS | |
半導体モジュールの種類 | IGBT | |
半導体構造 | シングル トランジスター | |
最大開路電圧 | 1.2kV | |
コレクター電流 | 62A | |
ケース | SOT227B | |
電気的実装 | スクリュー | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 124A | |
電力損失 | 450W | |
技術 | NPT | |
半導体部品の機能 | 高電圧 | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量30 g
証明書
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メーカーによる梱包方法チューブ = 10 個