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IXDN75N120

モジュール: IGBT; シングル トランジスター; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B; スクリュー

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXDN75N120
TMEシンボル:
IXDN75N120

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
シングル トランジスター
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
150A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
190A
電力損失
660W
技術
NPT
構造的搭載
ネジ
総重量34.72 g
証明書
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*
IXDN75N120
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