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IXFN120N65X2

モジュール; シングル トランジスター; 650V; 108A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 240A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN120N65X2
TMEシンボル:
IXFN120N65X2

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
108A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
24mΩ
パルスドレイン電流
240A
電力損失
890W
技術
HiPerFET™, X2-Class
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
240nC
逆回復時間
220ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量37.11 g
証明書
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IXFN120N65X2
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