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IXFN160N30T

モジュール; シングル トランジスター; 300V; 130A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 444A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN160N30T
TMEシンボル:
IXFN160N30T

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
300V
ドレイン電流
130A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
19mΩ
パルスドレイン電流
444A
電力損失
900W
技術
GigaMOS™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
376nC
逆回復時間
200ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量35.8 g
証明書
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IXFN160N30T
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