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IXFN170N30P

モジュール; シングル トランジスター; 300V; 138A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 500A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN170N30P
TMEシンボル:
IXFN170N30P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
300V
ドレイン電流
138A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
18mΩ
パルスドレイン電流
500A
電力損失
890W
技術
HiPerFET™, Polar™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
258nC
逆回復時間
200ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量29.8 g
証明書
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IXFN170N30P
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