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IXFN170N65X2

モジュール; シングル トランジスター; 650V; 170A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 340A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN170N65X2
TMEシンボル:
IXFN170N65X2

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
170A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
13mΩ
パルスドレイン電流
340A
電力損失
1.17kW
技術
HiPerFET™, X2-Class
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
434nC
逆回復時間
270ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量37.09 g
証明書
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IXFN170N65X2
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