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IXFN200N10P

モジュール; シングル トランジスター; 100V; 200A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 400A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN200N10P
TMEシンボル:
IXFN200N10P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
100V
ドレイン電流
200A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
7.5mΩ
パルスドレイン電流
400A
電力損失
680W
技術
HiPerFET™, Polar™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
235nC
逆回復時間
150ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量37.04 g
証明書
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IXFN200N10P
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