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IXFN210N30X3

モジュール; シングル トランジスター; 300V; 210A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 650A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN210N30X3
TMEシンボル:
IXFN210N30X3

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
300V
ドレイン電流
210A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
4.6mΩ
パルスドレイン電流
650A
電力損失
695W
技術
HiPerFET™, X3-Class
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
375nC
逆回復時間
190ns
ゲートーソース電圧
±20V
構造的搭載
ネジ
総重量37.14 g
証明書
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IXFN210N30X3
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