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IXFN26N120P

モジュール; シングル トランジスター; 1.2kV; 23A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 60A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN26N120P
TMEシンボル:
IXFN26N120P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
23A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.5Ω
パルスドレイン電流
60A
電力損失
695W
技術
HiPerFET™, Polar™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
255nC
逆回復時間
300ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量37.12 g
証明書
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IXFN26N120P
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