IXFN32N120P
モジュール; シングル トランジスター; 1.2kV; 32A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 100A
メーカー: IXYS
メーカー品番:
IXFN32N120P
TMEシンボル:
IXFN32N120P
仕様
メーカー | IXYS | |
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | |
半導体構造 | シングル トランジスター | |
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | |
ドレイン電流 | 32A | |
ケース | SOT227B | |
電気的実装 | スクリュー | |
極性 | ユニポーラ | |
ON抵抗値 | 0.31Ω | |
パルスドレイン電流 | 100A | |
電力損失 | 1kW | |
技術 | HiPerFET™, Polar™ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
ゲート電荷 | 360nC | |
逆回復時間 | 300ns | |
ゲートーソース電圧 | ±40V | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量37.27 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120P個数 (倍数: 1)
0 TMEに在庫あり
からの数量に対する正味価格 1 個 - 93.80 USDから数量のグロス価格 1 個 - 93.80 USD
からの数量に対する正味価格 3 個 - 82.85 USDから数量のグロス価格 3 個 - 82.85 USD
からの数量に対する正味価格 10 個 - 74.44 USDから数量のグロス価格 10 個 - 74.44 USD
入手困難な商品
メーカーによる梱包方法チューブ = 10 個