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IXFN36N100

モジュール; シングル トランジスター; 1kV; 36A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 144A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN36N100
TMEシンボル:
IXFN36N100

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
36A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.24Ω
パルスドレイン電流
144A
電力損失
694W
技術
HiPerFET™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
380nC
逆回復時間
180ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量37.27 g
証明書
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IXFN36N100
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