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IXFN38N100P

モジュール; シングル トランジスター; 1kV; 38A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 120A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN38N100P
TMEシンボル:
IXFN38N100P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
1kV
ドレイン電流
38A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.21Ω
パルスドレイン電流
120A
電力損失
1kW
技術
HiPerFET™, Polar™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
0.35µC
逆回復時間
300ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量37.24 g
証明書
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IXFN38N100P
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