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IXFN55N50

モジュール; シングル トランジスター; 500V; 55A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 220A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN55N50
TMEシンボル:
IXFN55N50

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
500V
ドレイン電流
55A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
80mΩ
パルスドレイン電流
220A
電力損失
625W
技術
HiPerFET™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
330nC
逆回復時間
250ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量36.7 g
証明書
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IXFN55N50
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