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IXFN60N80P

モジュール; シングル トランジスター; 800V; 53A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 150A


メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN60N80P
TMEシンボル:
IXFN60N80P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
800V
ドレイン電流
53A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.14Ω
パルスドレイン電流
150A
電力損失
1.04kW
技術
HiPerFET™, Polar™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
250nC
逆回復時間
250ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量37.31 g
証明書
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IXFN60N80P
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メーカーによる梱包方法:チューブ = 10 個