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IXFN80N50

モジュール; シングル トランジスター; 500V; 80A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 320A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN80N50
TMEシンボル:
IXFN80N50

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
500V
ドレイン電流
80A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
55mΩ
パルスドレイン電流
320A
電力損失
694W
技術
HiPerFET™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
380nC
逆回復時間
250ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量37.16 g
証明書
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IXFN80N50
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特注品
メーカーによる梱包方法チューブ = 10 個