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IXFN80N60P3

モジュール; シングル トランジスター; 600V; 66A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 200A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN80N60P3
TMEシンボル:
IXFN80N60P3

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
66A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
77mΩ
パルスドレイン電流
200A
電力損失
960W
技術
HiPerFET™, Polar3™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
0.19µC
逆回復時間
250ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量37.1 g
証明書
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IXFN80N60P3
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