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IXFN82N60P

モジュール; シングル トランジスター; 600V; 72A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 200A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN82N60P
TMEシンボル:
IXFN82N60P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
72A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
75mΩ
パルスドレイン電流
200A
電力損失
1.04kW
技術
HiPerFET™, Polar™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
240nC
逆回復時間
200ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量29.69 g
証明書
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IXFN82N60P
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