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IXGN50N120C3H1

モジュール: IGBT; シングル トランジスター; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B; スクリュー

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXGN50N120C3H1
TMEシンボル:
IXGN50N120C3H1

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
シングル トランジスター
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
50A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
240A
電力損失
460W
技術
GenX3™, PT
構造的搭載
ネジ
総重量37.05 g
証明書
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IXGN50N120C3H1
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