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IXTN660N04T4

モジュール; シングル トランジスター; 40V; 660A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 1.8kA


メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXTN660N04T4
TMEシンボル:
IXTN660N04T4

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
40V
ドレイン電流
660A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.85mΩ
パルスドレイン電流
1.8kA
電力損失
1.04kW
技術
TrenchT4™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
0.86µC
逆回復時間
60ns
ゲートーソース電圧
±15V
構造的搭載
ネジ
総重量37.07 g
証明書
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IXTN660N04T4
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メーカーによる梱包方法:チューブ = 10 個