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MC33151VDR2G

IC: driver; low-side,ゲートドライバー; SOIC8; -1.5÷1.5A; Ch: 2; MOSFET; 1W

新製品

メーカー: ONSEMI

メーカー品番:
MC33151VDR2G
TMEシンボル:
MC33151VDR2G

仕様

メーカー
ONSEMI
集積回路タイプ
driver
集積回路種類
low-side, ゲートドライバー
ケース
SOIC8
出力電流
-1.5...1.5A
チャンネル数
2
IC機能
MOSFET
マウント
SMD
動作温度範囲
-40...150°C
インパルス立ち上がり時間
14ns
パルス立ち下がり時間
16ns
最大出力電流
1.5A
電力損失
1W
供給電圧
  • 6.5...18V
総重量1 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: ゲート、インバータ ONSEMI,
*
MC33151VDR2G
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