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MDNA360UB2200PTED

モジュール: IGBT; ダイオード/トランジスター; boost chopper,三相ダイオードブリッジ,NTCサーミスター

メーカー: IXYS

メーカー品番:
MDNA360UB2200PTED
TMEシンボル:
MDNA360UB2200PTED

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
ダイオード/トランジスター
トポロジー
boost chopper, NTCサーミスター, 三相ダイオードブリッジ
最大開路電圧
1.7kV
コレクター電流
135A
ケース
E2-Pack
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
280A
構造的搭載
ネジ
総重量100 g
証明書
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MDNA360UB2200PTED
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