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MKI100-12F8

モジュール: IGBT; ダイオード/トランジスター; H-ブリッジ; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A; E3-Pack

メーカー: IXYS

メーカー品番:
MKI100-12F8
TMEシンボル:
MKI100-12F8

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
ダイオード/トランジスター
トポロジー
H-ブリッジ
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
125A
ケース
E3-Pack
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
200A
電力損失
640W
技術
HiPerFRED™, NPT
構造的搭載
ネジ
総重量300 g
証明書
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MKI100-12F8
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