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MSC080SMA120B4

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W; TO247-4

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
MSC080SMA120B4
TMEシンボル:
MSC080SMA120B4

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
26A
パルスドレイン電流
90A
電力損失
200W
ケース
TO247-4
ON抵抗値
0.1Ω
マウント
THT
ゲート電荷
64nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
半導体部品の機能
ケルビン端子
メーカー標準梱包
30個
ファミリー
SMA
総重量6.14 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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MSC080SMA120B4
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在庫限りで販売終了
メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個