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MSC080SMA120B4N

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 28A; Idm: 111A; 231W; 機能: ケルビン端子

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
MSC080SMA120B4N
TMEシンボル:
MSC080SMA120B4N

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
28A
パルスドレイン電流
111A
電力損失
231W
ケース
TO247-4-notch
ON抵抗値
0.1Ω
マウント
THT
ゲート電荷
64nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
半導体部品の機能
ケルビン端子
メーカー標準梱包
30個
ファミリー
SMA
総重量1 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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