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MSC080SMB120SDT/RM

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 30A; Idm: 111A; 268W; TO263-7XL


メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
MSC080SMB120SDT/RM
TMEシンボル:
MSC080SMB120SDT/RM

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
30A
パルスドレイン電流
111A
電力損失
268W
ケース
TO263-7XL
ON抵抗値
0.1Ω
マウント
SMD
ゲート電荷
64nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
半導体部品の機能
ケルビン端子
メーカー標準梱包
100個
ファミリー
SMB
総重量1.815 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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MSC080SMB120SDT/RM
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