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NXH006P120M3F2PTHG

モジュール; トランジスター/トランジスター; 1.2kV; 191A; PIM36; トポロジー: MOSFET ハーフブリッジ

メーカー: ONSEMI

メーカー品番:
NXH006P120M3F2PTHG
TMEシンボル:
NXH006P120M3F2PTHG

仕様

メーカー
ONSEMI
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
トランジスター/トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
191A
ケース
PIM36
トポロジー
MOSFET ハーフブリッジ
電気的実装
Press-in PCB
ON抵抗値
14.6mΩ
パルスドレイン電流
382A
電力損失
556W
技術
SiC
ゲートーソース電圧
-10...22V
梱包種類
トレー入り
構造的搭載
ネジ
総重量100 g
証明書
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NXH006P120M3F2PTHG
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