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QS6M4TR

トランジスター: N/P-MOSFET; ユニポーラ; 30/-20V; 1.5/-1.5A; Idm: 6A; 1.25W


メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
QS6M4TR
TMEシンボル:
QS6M4TR

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N/P-MOSFET
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
30/-20V
ドレイン電流
1.5/-1.5A
パルスドレイン電流
6A
電力損失
1.25W
ケース
TSMT6
ゲートーソース電圧
±12V
ON抵抗値
360/430mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
1.6/3nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量0.1 g
証明書

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