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RF4C100BCTCR

トランジスター: P-MOSFET; ユニポーラ; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W; DFN2020-8S

メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
RF4C100BCTCR
TMEシンボル:
RF4C100BCTCR

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
P-MOSFET
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
-20V
ドレイン電流
-10A
パルスドレイン電流
-36A
電力損失
2W
ケース
DFN2020-8S
ゲートーソース電圧
±8V
ON抵抗値
15.6mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
23.5nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書

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