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RF4E100AJTCR

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S


メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
RF4E100AJTCR
TMEシンボル:
RF4E100AJTCR

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
30V
ドレイン電流
10A
パルスドレイン電流
36A
電力損失
2W
ケース
DFN2020-8S
ゲートーソース電圧
±12V
ON抵抗値
12.4mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
13nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量0.015 g
証明書

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RF4E100AJTCR
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倍数: 1.
メーカーによる梱包方法リール = 3 000 個