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RF4E110GNTR

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 30V; 11A; Idm: 44A; 2W; DFN2020-8S

製品ファミリー

メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
RF4E110GNTR
TMEシンボル:
RF4E110GNTR

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
30V
ドレイン電流
11A
パルスドレイン電流
44A
電力損失
2W
ケース
DFN2020-8S
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
11.3mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
7.4nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書

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