+1 500 000 のオファーにある商品数

7000 個の小包が毎日発送されます

150 カ国からの +300 000 の顧客

Quick Buy お気に入り
カート

SCT1000N170

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
SCT1000N170
TMEシンボル:
SCT1000N170

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.7kV
ドレイン電流
7A
パルスドレイン電流
20A
電力損失
96W
ケース
HIP247™
ゲートーソース電圧
-10...22V
ON抵抗値
1.3Ω
マウント
THT
ゲート電荷
13.3nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量5.3 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: THT Nチャネルトランジスタ STMicroelectronics,
*
SCT1000N170
23 TMEに在庫あり
からの数量に対する正味価格 1 個 - 8.79 USDから数量のグロス価格 1 個 - 8.79 USD
からの数量に対する正味価格 3 個 - 7.85 USDから数量のグロス価格 3 個 - 7.85 USD
からの数量に対する正味価格 5 個 - 7.26 USDから数量のグロス価格 5 個 - 7.26 USD
からの数量に対する正味価格 10 個 - 7.01 USDから数量のグロス価格 10 個 - 7.01 USD
個数 (倍数: 1)
メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個