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SCT10N120AG

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W; HIP247™


メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
SCT10N120AG
TMEシンボル:
SCT10N120AG

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
10A
パルスドレイン電流
24A
電力損失
150W
ケース
HIP247™
ゲートーソース電圧
-10...25V
ON抵抗値
0.58Ω
マウント
THT
ゲート電荷
22nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
アプリケーション 用途
自動車産業
総重量5.39 g
証明書
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SCT10N120AG
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